Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
|
|
| Creator |
Наливайко, О.Ю.
Турцевич, А.С. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК.
Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК. The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined. |
|
| Date |
2013-12-06T14:50:15Z
2013-12-06T14:50:15Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51668 621.382.002 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|