Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
|
|
| Creator |
Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом. The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. |
|
| Date |
2013-12-06T14:58:32Z
2013-12-06T14:58:32Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670 537.311.33:622.382.33 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|