Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
|
|
Creator |
Алиева, А.П.
Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита.
Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту. Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite. |
|
Date |
2013-12-06T17:39:12Z
2013-12-06T17:39:12Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51683 546.87/86 ”24:54-165 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|