Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
|
|
| Creator |
Новицкий, С.В.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.
Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. |
|
| Date |
2013-12-06T21:26:30Z
2013-12-06T21:26:30Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51695 537.311.4 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|