Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
|
|
| Creator |
Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА.
Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА. There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA. |
|
| Date |
2013-12-06T21:32:09Z
2013-12-06T21:32:09Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51697 621.3.049.77: 681.325 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|