Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
|
|
| Creator |
Добровольский, Ю.Г.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.
Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт. An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W. |
|
| Date |
2013-12-07T01:15:08Z
2013-12-07T01:15:08Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51709 535.23:628.98:004.9:535-31:535.247 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|