Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
|
|
| Creator |
Бобренко, Ю.Н.
Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.
Вивчено спектральні, вольт-фарадні та вольт-амперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A²B⁶ з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів. The article presents the study on spectral, capacitancevoltage and current-voltage characteristics of surfacebarrier structures based on A²B⁶ composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application. |
|
| Date |
2013-12-07T01:18:52Z
2013-12-07T01:18:52Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51710 621.315.592+621.384.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|