Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
|
|
| Creator |
Кудринский, З.Р.
Ковалюк, З.Д. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности.
Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості. The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. |
|
| Date |
2013-12-07T14:57:52Z
2013-12-07T14:57:52Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51724 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|