Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.
Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. |
|
| Date |
2013-12-07T20:20:26Z
2013-12-07T20:20:26Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735 621.383.52;535.243 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|