Технология изготовления контактов к карбиду кремния
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
|
|
Creator |
Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
|
Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
Description |
Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R. The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes. |
|
Date |
2013-12-07T20:29:14Z
2013-12-07T20:29:14Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51738 621.328.2 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|