Запис Детальніше

Технология изготовления контактов к карбиду кремния

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Технология изготовления контактов к карбиду кремния
 
Creator Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
 
Subject Технологические процессы и оборудование
 
Description Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.
 
Date 2013-12-07T20:29:14Z
2013-12-07T20:29:14Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51738
621.328.2
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України