Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
|
|
| Creator |
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б. Томашик, В.Н. Будзуляк, С.И. Гнатив, И.И. Комар, В.К. Дубина, Н.Г. Лоцъко, А.П. Корбутяк, Д.В. Демчина, Л.А. Вахняк, Н.Д. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух этапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющих полирующих травителей значительно улучшает качество детекторного материала и способствует увеличению его удельной чувствительности к ионизирующему излучению, а также позволяет использовать меньшие по размеру пластины Cd1-xZnxTe, что приводит к снижению стоимости детекторов
Розроблено спосіб виготовлення робочого елементу Cd1-xZnxTe-детектора іонізуючого випромінювання з високою чутливістю до низькоенергетичного γ-випромінювання радіоактивного ізотопу америцію ²¹¹Am. Запропонована методика двоетапної хімічної обробки поверхні з використанням нових бромвиділяючих поліруючих травників значно покращує якість детекторного матеріалу та сприяє збільшенню його питомої чутливості до іонізуючого випромінювання. Це дозволяє використовувати менші за розміром пластини Cd1-xZnxTe, що призводить до зниження вартості детекторів. The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating clement of the Cd1-xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium ²¹¹Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment with the use of new bromine releasing polishing etchants significantly improves the quality of the detector material and increases its specific sensitivity to ionizing radiation. This allows to use smaller Cd1-xZnxTe plates, which results in lowering of the cost of detectors. |
|
| Date |
2013-12-07T20:37:18Z
2013-12-07T20:37:18Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцъко, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51740 539.1.074 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|