Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
|
|
Creator |
Мостовой, А.И.
Брус, В.В. Марьянчук, П.Д. Ульяницкий, К.С. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.
Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу. The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. |
|
Date |
2013-12-07T20:40:44Z
2013-12-07T20:40:44Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51741 621.315.592 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|