Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
|
|
| Creator |
Дружинин, А.А.
Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Литовченко, П.Г. Павловская, Н.Т. Павловский, Ю.В. Цмоць, В.М. Поварчук, В.Ю. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.
Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та магнітного поля з індукцією до 14 Тл на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором 0,08,0,025 Ом·см в інтервалі температур 4,2 .300 К. Встановлено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення дозами до 2·10¹⁷ см⁻², в той же час спостерігаються істотні зміни магнітоопору. На основі проведених досліджень запропоновано умови створення радіаційно стійких сенсорів деформації, дієздатних в умовах сильних магнітних полів. An influence of γ-irradiation (Co⁶⁰) with doze up to 1·10¹⁸ cm⁻² and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of Si1-xGex (x = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08-0,025 Ohm·cm in temperature range 4,2-300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·10¹⁷ cm⁻², while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed. |
|
| Date |
2013-12-08T01:21:48Z
2013-12-08T01:21:48Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, П.Г. Литовченко, Н.Т. Павловская, Ю.В. Павловский, В.М. Цмоць , В.Ю. Поварчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 10-12. — Бібліогр.: ХХ 6 — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51754 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|