Запис Детальніше

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
 
Creator Ушенин, Ю.В.
Самойлов, А.В.
Христосенко, Р.В.
 
Subject Сенсоэлектроника
 
Description Показано, что использование инфракрасного источника излучения позволяет улучшить чувствительность сенсора по сравнению с источником видимого света.
Проаналізовано результати комп'ютерного моделювання вимірів кутового спектру поверхневого плазмонного резонансу в металевих плівках за допомогою приладу ПЛАЗМОН-5 з інфрачервоним випромінювачем. Показано, що використання інфрачервоного джерела випромінювання дозволяє поліпшити чутливість сенсору в порівнянні з джерелом видимого світла. На прикладі виміру показників заломлення діелектрика приладом ПЛАЗМОН-5 здійснено експериментальну перевірку теоретичних розрахунків.
Results of computer modeling of an angular spectrum superficial plasmon resonance in metal films measurements with device PLAZMON-5 with infra-red radiator are analysed. It is shown that use of an infra-red source of radiation allows to improve sensitivity of sensor device in comparison with source of visible light . On an example of dielectric refraction indexes measurement with PLAZMON-5 device experimental check of theoretical calculations has been carried out.
 
Date 2013-12-08T01:25:11Z
2013-12-08T01:25:11Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса / Ю.В. Ушенин, А.В. Самойлов, Р.В. Христосенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 12-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51755
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України