Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
|
|
Creator |
Ушенин, Ю.В.
Самойлов, А.В. Христосенко, Р.В. |
|
Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
Description |
Показано, что использование инфракрасного источника излучения позволяет улучшить чувствительность сенсора по сравнению с источником видимого света.
Проаналізовано результати комп'ютерного моделювання вимірів кутового спектру поверхневого плазмонного резонансу в металевих плівках за допомогою приладу ПЛАЗМОН-5 з інфрачервоним випромінювачем. Показано, що використання інфрачервоного джерела випромінювання дозволяє поліпшити чутливість сенсору в порівнянні з джерелом видимого світла. На прикладі виміру показників заломлення діелектрика приладом ПЛАЗМОН-5 здійснено експериментальну перевірку теоретичних розрахунків. Results of computer modeling of an angular spectrum superficial plasmon resonance in metal films measurements with device PLAZMON-5 with infra-red radiator are analysed. It is shown that use of an infra-red source of radiation allows to improve sensitivity of sensor device in comparison with source of visible light . On an example of dielectric refraction indexes measurement with PLAZMON-5 device experimental check of theoretical calculations has been carried out. |
|
Date |
2013-12-08T01:25:11Z
2013-12-08T01:25:11Z 2011 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса / Ю.В. Ушенин, А.В. Самойлов, Р.В. Христосенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 12-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51755 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|