Роль пластической деформации в получении нанокремния
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Роль пластической деформации в получении нанокремния
|
|
| Creator |
Смынтына, В.А.
Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией.
Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією. The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties. |
|
| Date |
2013-12-08T01:35:39Z
2013-12-08T01:35:39Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|