Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Джураев, Д.Р. Ёдгорова, Д.М. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Тураев, А.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
Проведено дослідження залежності струму стабілізації від зовнішнього опору, що зўєднує витік і затвор польового транзистора в режимі обмежувача струму . двополюсника. При припущенні про квадратичну залежність струму від запірної напруги експериментальні криві добре узгоджуються з розрахунковими даними. Встановлений взаємозв'язок між струмом стабілізації і зовнішнім опором має бути цікавим при розробці джерел і обмежуачів струму. The paper presents researches of dependence of stabilization current from the external resistance connecting the source and the gate of the field-effect transistor in the mode of the current limiter - a two-pole terminal. At the assumption of quadratic dependence of a current from blocking voltage, experimental curves agree well with the calculation data. The established interrelation between a current of stabilization and external resistance is of interest by working out of sources and current terminators. |
|
| Date |
2013-12-08T01:39:32Z
2013-12-08T01:39:32Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе / А.В. Каримов, Д.Р. Джураев, Д.М. Ёдгорова, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, А.А. Тураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 25-26. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51759 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|