Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
|
|
Creator |
Катрунов, К.А.
Лалаянц, А.И. Гальчинецкий, Л.П. Старжинский, Н.Г. Жуков, А.В. Галкин, С.Н. Брылёва, Е. Зеня, И.М. Трубаева, О.Г. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Изучен процесс образования твердого раствора при спекании порошков ZnS и ZnTe, подобраны оптимальные соотношения исходных компонентов и режим синтеза, изучено влияние дополнительной термообработки на люминесцентные и сцинтилляционные свойства полученных материалов.
Визначено оптимальний технологічний режим утворення твердого розчину ZnS1–xTex у зоні 0,0 ≤ х ≤ 0,1. Показано, що використання водню при спіканні порошків призводить до більш ефективного утворення твердого розчину, завдяки протіканню хімічних реакцій, що призводять до руйнування шару ZnO. Подальший відпал в атмосфері Ar спричиняє збільшення світлового виходу, формування нової полоси випромінювання, зниження рівня післясвітіння та перебудову грат. The optimal technological regime of formation ZnS1–xTex solid solution at spacing 0,0 ≤ х ≤ 0,1 has been determined, and has been shown that fritting in hydrogen atmosphere results in more rapid reaction in comparison to argon due to chemical-thermal etching the ZnO layer out. Further annealing in the inert Ar atmosphere leads to the increase of the light output, to the intensive emission band formation and causes afterglow level reduction and the crystalline lattice rearrangement. |
|
Date |
2013-12-08T02:10:36Z
2013-12-08T02:10:36Z 2011 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения / К.А. Катрунов, А.И. Лалаянц, Л.П. Гальчинецкий, Н.Г. Старжинский, А.В. Жуков, С.Н. Галкин, Е. Брылёва, И.М. Зеня, О.Г. Трубаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 60-64. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51767 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|