Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
|
|
| Creator |
Загоруйко, Ю.А.
Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения.
Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them. |
|
| Date |
2013-12-11T19:20:55Z
2013-12-11T19:20:55Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51821 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|