Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
|
|
| Creator |
Алиева, А.П.
Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов.
На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей. On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties. |
|
| Date |
2013-12-11T23:58:41Z
2013-12-11T23:58:41Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51835 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|