Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
|
|
| Creator |
Пигур, О.Н.
Попович, В.Д. Potera, P. Вирт, И.С. Цибрий, З.Ф. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Изменения в спектрах поглощения монокристаллов CdTe и CdTe:Cl p-типа объяснены пассивацией водородом мелких собственных дефектов акцепторного типа, в основе которых лежит вакансия кадмия и возникновением изолированных дефектов с участием водорода.
Досліджено вплив низькотемпературної обробки розрядом в атмосфері водню на пропускання монокристалів CdTe та CdTe:Clp-типу в областях прозорості та довгохвильового краю спектру поглинання. Зміни в спектрах поглинання пояснено пасивацією воднем дрібних власних дефектів акцепторного типу, в основі яких лежить вакансія кадмію, а також виникненням ізольованих дефектів за участю водню. The influence of low-temperature processing by discharge in atmosphere of hydrogen on/?-type single crystals CdTe and CdTe:Cl transmission in transparent region and longwavelength absorption edge have been investigated. The changes in absorption spectra were explained by hydrogen passivation of shallow intrinsic defects of acceptor type based on the vacancy of cadmium, and also by isolated defects initiation with the assistance of hydrogen. |
|
| Date |
2013-12-12T00:02:07Z
2013-12-12T00:02:07Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания / О.Н. Пигур, В.Д. Попович, P. Potera, И.С. Вирт, З.Ф. Цибрий (Ивасив) // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51836 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|