Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
|
|
| Creator |
Алтухов, А.А.
Афанасьев, М.С. Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода.
Запропоновано метод термообробки у водні природних та вирощених методом CVD кристалів алмазу, який може служити альтернативою загальноприйнятому методу формування Н-шару в НВЧ-плазмі водню як більш простий і відтворюваний. Встановлено межу термічної стабільності гідрованої алмазної поверхні. Показано, що алюміній, напилений на гідровану при термообробці у водні алмазну поверхню, може служити як затвір Шотки в польових НВЧ-транзисторах, виготовлених за технологією MESFET. A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology. |
|
| Date |
2013-12-12T22:59:27Z
2013-12-12T22:59:27Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51845 621.382.3 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|