Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
|
|
| Creator |
Гаркавенко, А.С.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.
Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю. The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. |
|
| Date |
2013-12-12T23:09:32Z
2013-12-12T23:09:32Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51848 535.14:621.375.826 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|