Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
|
|
Creator |
Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А. Курак, В.В. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb.
Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм. Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm. |
|
Date |
2013-12-12T23:15:13Z
2013-12-12T23:15:13Z 2011 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51850 621.362.621.383 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|