Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
|
|
| Creator |
Смынтына, В.А.
Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Cвиридова, О.В. Марчук, И.А. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен.
На підставі результатів дослідження процесів токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» з різною товщиною шару полікристалічного р-кремнію описано механізми токоперенесення через такі структури. Встановлено, що при збільшенні товщини шару полікристал ічного р-кремнію механізм токоперенесення змінюється від подвійного інжекційного до дрейфово-дифузійного механізму. Така зміна пов'язана із збільшенням дрейфової складової струму в зоні просторового заряду контакту «метал — р-кремній», що виникає внаслідок збільшення поверхневої щільності розсіюючих бар'єрів, локалізованих на границях сусідніх полікристалів кремнію. Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystal line p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals |
|
| Date |
2013-12-12T23:18:57Z
2013-12-12T23:18:57Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Cвиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 39-41. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51851 537.311.33:622.382.33 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|