Запис Детальніше

Модель алмазного транзистора

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Модель алмазного транзистора
 
Creator Алтухов, А.А.
Зяблюк, К.Н.
Митягин, А.Ю.
Талипов, Н.Х.
Чучева, Г.В.
 
Subject Функциональная микро- и наноэлектроника
 
Description Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора.
Розроблено модель плавного затвору, яка досить добре описує роботу польового алмазного НВЧ-транзистора. Використовуючи дану модель можна розрахувати його характеристики за електрофізичними параметрами алмазної структури з δ-легованим (воднем або бором) шаром та за геометричними параметрами елементів транзистора. Розраховані основні параметри модельного НВЧ-транзистора досить добре узгоджуються з опублікованими експериментальними результатами вимірювань реальних НВЧ-транзисторів.
In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors.
 
Date 2013-12-14T00:45:13Z
2013-12-14T00:45:13Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Модель алмазного транзистора / А.А. Алтухов, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 13-19. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51860
621.382.3
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України