Запис Детальніше

Особенности конденсации фуллеренов из молекулярного пучка в вакууме

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Особенности конденсации фуллеренов из молекулярного пучка в вакууме
 
Creator Нелюба, П.Л.
 
Subject Материалы электроники
 
Description Исследованы особенности конденсации фуллеренов из сублимированного пучка в вакууме на неподогретых подложках. Выявлены условия укрупнения кристаллитов С₆₀ в конденсате и появления в нем графитоподобной и алмазоподобной фаз.
Досліджено конденсацію пучка фулеренів С₆₀ у вакуумі на непідігріті підкладки з Si, GaAs, слюди, покривного скла. Викорис тано методи атомно-силової мікроскопії, раманівського розсіяння, вимірювання механічних напруг у плівці. Встановлено, що молекули С₆₀ можуть розпадатися на підкладках з утворенням інших вуглецевих структур в конденсат і без додаткових фізичних впливів на сублімований пучок у просторі «випарник — підкладка». Показано можливість збільшення розміру зерен і зменшення механічної напруги в конденсаті.
There was investigated С₆₀ fullerenes condensation in vacuum on unheated Si, GaAs, isinglass stone substrates. There were used atomic-force microscopy, Raman scattering and measurement of mechanical stresses in films. It is established that the С₆₀ molecule can decay on the substrates with the formation of other carbon structures in the condensate without supplementary physical effects on the sublimated beam in «evaporator—substrate» space. The possibility was found to increase the grain size and reduce the mechanical stresses in the condensate.
 
Date 2013-12-14T01:14:26Z
2013-12-14T01:14:26Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Особенности конденсации фуллеренов из молекулярного пучка в вакууме / П.Л. Нелюба // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 35-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51865
621.315.592
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України