Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
|
|
| Creator |
Ёдгорова, Д.М.
|
|
| Subject |
Электронные средства: исследования, разработки
|
|
| Description |
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.
|
|
| Date |
2013-12-14T21:10:48Z
2013-12-14T21:10:48Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51881 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|