Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
|
|
| Creator |
Попов, В.М.
Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.
|
|
| Date |
2013-12-14T21:37:44Z
2013-12-14T21:37:44Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51890 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|