Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
|
|
| Creator |
Воронин, В.А.
Губа, С.К. Курило, И.В. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.
|
|
| Date |
2013-12-15T22:25:13Z
2013-12-15T22:25:13Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|