Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
|
|
| Creator |
Гаркавенко, А.С.
|
|
| Subject |
Электронные средства: исследования, разработки
|
|
| Description |
Представлены результаты экспериментального исследования предсказанного ранее теоретически экситонно-плазменного фазового перехода Мотта. Получено убедительное доказательство его реального существования.
На особливо чистих оптично однорідних монокристалах CdS виміряно залежність часу життя спонтанного випромінювання τ від рівня збудження (концентрації нерівноважних носіїв заряду ΔN). Результати цього експерименту підтверджують раніше передбачений теоретично екситонно-плазмовий фазовий перехід Мотта. На це вказують також отримані в даній роботі результати спектральних досліджень фотолюмінесценції збуджених кристалів. The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (nonequilibrium charge ΔN carrirers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so called Mott exciton-plasma phase transition. It¢s also indicated by results for spectral research of excited crystals photolumi-nescence obtained in this work. |
|
| Date |
2013-12-20T20:49:55Z
2013-12-20T20:49:55Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 21-24. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51949 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|