Запис Детальніше

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
 
Creator Павлюченко, А.С.
Кукла, А.Л.
Голтвянский, Ю.В.
 
Subject Сенсоэлектроника
 
Description Спроектированная измерительная система для ферментного анализа жидких сред на основе pH-чувствительных датчиков отличается универсальностью, технологичностью, точностью и надежностью результатов измерений.
Описано конструкцію і технологію виготовлення pH-чутливих датчиків на базі іоноселективних польових тран зисторів (ІСПТ), призначених для ферментного аналіз інгібуючих домішок у водних розчинах, а також архітектуру багатоканальної вимірювальної системи, побудованої на базі ІСПТ-датчиків. Наведено характеристикирозроблених макетів перетворювачів, вказано шляхи подальшого вдосконалення конструкції та покращення метрологічних та експлуатаційних характеристик системи.
The article describes design and production technology of pH-sensors based on ion-selective field-effect transistors (ISFET) intended for enzyme analysis of inhibiting admixtures in aqueous solutions, and architecture of the multichannel measuring system built upon the ISFETsensors. The characteristics of developed prototypes are given and the ways for further improvement of system design, metrological performance and operating parameters are outlined.
 
Date 2013-12-20T21:01:22Z
2013-12-20T21:01:22Z
2010
 
Type Article
 
Identifier Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 35-46. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51952
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України