Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
|
|
| Creator |
Рева, В.П.
Голенков, А.Г. Забудский, В.В. Коринец, С.В. Цибрий, З.Ф. Гуменюк-Сычевская, Ж.В. Бунчук, С.Г. Апатская, М.В. Лысюк, И.А. Смолий М.И. |
|
| Subject |
Электронные средства: исследования, разработки
|
|
| Description |
Приемник может быть использован в системах с высокой разрешающей способностью по температуре. Среднее значение температуры излучения, эквивалентной шуму, составляет 20±4мК.
Представлено результати досліджень розробленого тепловізійного приймача (ТП) для середнього інфрачервоного діапазону спектру (3—5 мкм), обговорено особливості його застосування. До складу ТП входить охолоджуваний до температури рідкого азоту матричний фотоприймальний пристрій формату 128x128 на основі CdHgTe-фотодіодів і криостат із системою контролю температури. Фотоприймальну матрицю з'єднано індієвими контактами зі схемою зчитування — кремнієвим фокальним процесором. Середнє значення температури випромінювання, еквівалентної шуму, складало 20±4мК (температура фонового випромінювання Т=300 К, кут зору 2θ=180°, холодна діафрагма не застосовувалась). The results of investigation of developed thermal imager for middle (3-5 µm) infrared region are presented and its applications features are discussed. The thermal imager consists of cooled to 80 K 128×128 diodes focal plane array on the base of cadmium-mercury-telluride compound and cryostat with temperature checking system. The photodiode array is bonded with readout device (silicon focal processor) via indium microcontacts. The measured average value of noise equivalent temperature difference was NETD= 20±4 mK (background radiation temperature T = 300 K, field of view 2θ = 180°, the cooled diaphragm was not used). |
|
| Date |
2013-12-21T00:50:51Z
2013-12-21T00:50:51Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов / В.П. Рева, А.Г. Голенков, В.В. Забудский, С.В. Коринец, З.Ф. Цибрий, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.Г. Бунчук, М.В. Апатская, И.А. Лысюк, М.И. Смолий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 24-28. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51963 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|