Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
|
|
Creator |
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Раевская, Н.С. Беляев, А.Е. Бобыль, А.В. Конакова, Р.В. Кудрик, Я.Я. Миленин, В.В. Новицкий, С.В. Шеремет В.Н. |
|
Subject |
Новые компоненты для электронной аппаратуры
|
|
Description |
Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією. The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology. |
|
Date |
2013-12-22T00:20:58Z
2013-12-22T00:20:58Z 2010 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51975 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|