Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
|
|
| Creator |
Катеринчук, В.Н.
Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл.
Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. |
|
| Date |
2013-12-22T01:08:15Z
2013-12-22T01:08:15Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51986 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|