Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
|
|
| Creator |
Максимчук, Н.В.
Шмырева, А.Н. Борисов, А.В. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Установлены основные закономерности формирования наноструктурных пленок CeOx с управляемыми физическими свойствами, что расширяет область их применения для создания сенсоров различного назначения.
Проведено дослідження властивостей плівок CeOx, виготовлених різними методами. Порівняльний аналіз показав, що метод «окислення металічного дзеркала» даєплівки зі значно кращими характеристиками, ніж метод«вибухового випаровування», хоча останній дає більш високу фоточутливість плівок CeOx та структур на їх осѕнові. При цьому було визначено оптимальну температуру підкладки. Отримані дані розширюють область застосування CeOx-плівок для мікроелектронних сенсорів. The properties of CeOx films produced by various methods have been investigated. According to the comparative analisys "metallic mirror oxidation" method allows to produce films with significantly better characteristics than the «explosive evaporation» method. Though the latter method yields higher photosensitivity of CeOx films and structures on their base. In the process the optimal value of the substrate temperature was determined. Obtained data expand the CeOx application potential in microelectronic sensor sphere. |
|
| Date |
2013-12-22T01:12:40Z
2013-12-22T01:12:40Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия / Н.В. Максимчук, А.Н. Шмырева, А.В. Борисов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 54-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51987 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|