Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
|
|
| Creator |
Дмитриев, М.В.
Еримичой, И.Н. Панов, Л.И. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации.
Наведено методику обчислювання ефективної діелектричної проникності кристобаліту, сформованого у склокерамічному композиційному матеріалі (СКМ), з виміряної діелектричної проникності СКМ. Виявлено залежність обчисленого параметра від часу кристалізації.ѕ The paper deals with computing technique of effective dielectric permittivity of a crystobalite εφπ formed in glassceramic body by means of measured dielectric permittivity of glass-ceramic composit. Dependence of the calculated parameter from the time of crystallization is found. |
|
| Date |
2013-12-22T01:28:28Z
2013-12-22T01:28:28Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51990 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|