Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
|
|
| Creator |
Ащеулов, А.А.
|
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Метод основан на определении потерь электрической мощности при возникновении вихревых токов в образце, помещенном в зазор сердечника катушки индуктивности, которую питает асимметричный ток.
Досліджено термоелектричні ефекти, що виникають взразку, розміщеному у вимірювальному коливальномуконтурі. Показано, що асиметричний характер струму, що протікає, веде до об'ємного розшарування індуко-ваних струмів Фуко і областей виділення тепла Пельтьєтермоелектричного зразка, що приводить до зростаннянеоборотних тепловтрат, які реєструються вимірюваль-ним коливальним контуром. Наявність цього ефектузумовилa появу оригінального безконтактного методу реє-страції ефективності різних термоелектричних матеріалів.· Thermoelectric effects arising in a sample placed in a measuring oscillating loop have been studied. It has been shown that asymmetric character of flowing current results in a volumetric bundle of induced Foucault currents and regions of Peltier heat release by thermoelectric sample which leads to increasing of irreversible heat losses recorded by measuring oscillating loop. The presence of this effect has caused the emergence of ingenious noninvasive method for recording of thermoelectric materials figure of merit. |
|
| Date |
2013-12-26T00:40:25Z
2013-12-26T00:40:25Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов / А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52045 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|