Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей.
У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base. |
|
| Date |
2013-12-26T23:51:08Z
2013-12-26T23:51:08Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52060 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|