Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
|
|
| Creator |
Новосядлый, С.П.
Вивчарук, В.М. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.
Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.· The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS. |
|
| Date |
2013-12-26T23:58:36Z
2013-12-26T23:58:36Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52062 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|