Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
|
|
| Creator |
Попов, В.М.
Шустов, Ю.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні. The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface. |
|
| Date |
2013-12-28T00:16:13Z
2013-12-28T00:16:13Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52098 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|