Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Зоирова, Л.Х. Абдулхаев, О.А. Джураев, Д.Р. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон.
Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що протікають в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і до гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної і до її модуляції з двох сторін, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв в базову область і істотно зменшує ємність структури. There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure. |
|
| Date |
2013-12-28T00:20:50Z
2013-12-28T00:20:50Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Л.Х. Зоирова, О.А. Абдулхаев, Д.Р. Джураев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 52-58. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52099 Материалы электроники |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|