Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
|
|
| Creator |
Бобренко, Ю.Н.
Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·
Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару. High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region. |
|
| Date |
2013-12-29T17:16:22Z
2013-12-29T17:16:22Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|