Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
|
|
| Creator |
Кудрик, Я.Я.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK
Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.· Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated. |
|
| Date |
2013-12-29T17:18:32Z
2013-12-29T17:18:32Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52311 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|