Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).
Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.· The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process. |
|
| Date |
2013-12-29T17:24:32Z
2013-12-29T17:24:32Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|