Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Назаров, Ж.Т. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
|
|
| Date |
2013-12-29T22:07:25Z
2013-12-29T22:07:25Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52327 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|