Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
|
|
Creator |
Горев, Н.Б.
Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.
|
|
Date |
2014-01-01T21:56:40Z
2014-01-01T21:56:40Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52449 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|