Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
|
|
Creator |
Марончук, И.Е.
Дображанский, Ю.А. |
|
Subject |
Энергетическая электроника
|
|
Description |
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.
|
|
Date |
2014-01-04T18:04:24Z
2014-01-04T18:04:24Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52534 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|