Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
|
|
Creator |
Краснов, В.А.
Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Копко, Д.П. Ерохин, С.Ю. Фонкич, А.М. Шутов, С.В. Сыпко, Н.И. |
|
Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
Description |
Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.
|
|
Date |
2014-01-04T18:11:57Z
2014-01-04T18:11:57Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52536 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|