Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
|
|
| Creator |
Мелебаев, Д.
Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.
|
|
| Date |
2014-01-07T18:49:44Z
2014-01-07T18:49:44Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|