Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
|
|
| Creator |
Босый, В.И.
Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.
|
|
| Date |
2014-01-07T18:58:06Z
2014-01-07T18:58:06Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|